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RPCVD를 이용한 실리콘 게르마늅 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 제작 및 특성 분석

RPCVD를 이용한 실리콘 게르마늅 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 제작 및 특성 분석

한태현, | 한국전기전자재료학회 | 2004 ,

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등록번호	별치/청구기호	소장처	대출여부	대출정보
AR117744	P -	참고자료실(관광학관2층)	대출불가

2

SiGe HBT 제작을 위한 실리콘 게르마늄 단결정 박막의 RBS 분석

SiGe HBT 제작을 위한 실리콘 게르마늄 단결정 박막의 RBS 분석

한태현, | 한국전기전자재료학회 | 2004 ,

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등록번호	별치/청구기호	소장처	대출여부	대출정보
AR117724	P -	참고자료실(관광학관2층)	대출불가

3

재산화 질화산화막의 기억트랩 분석과 프로그래밍 특성

재산화 질화산화막의 기억트랩 분석과 프로그래밍 특성

남동우(Dong Woo Nam), | 한국전기전자재료학회 | 2002 ,

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AR118545	P -	참고자료실(관광학관2층)	대출불가

4

Bulk-Si와 PD-SOI에 형성된 SiGe p-MOSFET의 전기적 특성의 비교

Bulk-Si와 PD-SOI에 형성된 SiGe p-MOSFET의 전기적 특성의 비교

최상식, | 한국전기전자재료학회 | 2007 ,

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등록번호	별치/청구기호	소장처	대출여부	대출정보
AR117492	P -	참고자료실(관광학관2층)	대출불가

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기사 (4)

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한국전기전자재료학회 (4+)

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kor (4)