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4 Results:AA:최상식 0.78 sec.
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Bulk-Si와 PD-SOI에 형성된 SiGe p-MOSFET의 전기적 특성의 비교
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최상식, | 한국전기전자재료학회 | 2007 ,
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채널구조와 바이어스 조건에 따른 Si0.8Ge0.2pMOSFET의 저주파잡음 특성
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최상식, | 한국전기전자재료학회 | 2006 ,
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영상으로 말하기 : 셔레이드, 몽타주, 미장센의 해부
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최상식, 688.01-최`51여 | 시각과 언어 | 2001 688.01-최`51여,
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MBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성
MBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성
김경현, | 한국전기전자재료학회 | 2006 ,
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