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반도체 / 완화된 또는 응력변형을 겪는 Ge 과 Ge0.8Sn0.2 에서 전자와 정공의 상태밀도 유효질량과 전도도 유효질량
반도체 / 완화된 또는 응력변형을 겪는 Ge 과 Ge0.8Sn0.2 에서 전자와 정공의 상태밀도 유효질량과 전도도 유효질량
박일수(Il Soo Park), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
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직접천이 띠간격을 갖는 Ge1-xSnx/Ge1-ySny(001) 의 전기적 특성 연구
직접천이 띠간격을 갖는 Ge1-xSnx/Ge1-ySny(001) 의 전기적 특성 연구
박일수(Il Soo Park), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
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반도체 : A1-x Bx 혼합물반도체에서 원자들의 혼합형태에 따른 비극성 Optical 포논산란에 대한 연구
반도체 : A1-x Bx 혼합물반도체에서 원자들의 혼합형태에 따른 비극성 Optical 포논산란에 대한 연구
박일수(Il Soo Park), | 한국전기전자재료학회 | 2001 ,
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Ge1-xSnx/Ge1-ySny(001) 의 band lineup 유형
Ge1-xSnx/Ge1-ySny(001) 의 band lineup 유형
박일수(Il Soo Park), | 한국전기전자재료학회 | 2002 ,
5
Г - Valley 에서 산란의 종류에 따른 전자의 홀 수
Г - Valley 에서 산란의 종류에 따른 전자의 홀 수
서헌교(Hun Kyo Seo), | 한국전기전자재료학회 | 2002 ,
6
AlχGa(1-χ)As-GaAs 양자우물에서 시도함수에 따른 결합에너지
AlχGa(1-χ)As-GaAs 양자우물에서 시도함수에 따른 결합에너지
이건영, | 한국전기전자재료학회 | 2005 ,
7
비 중심 Si δ-doping 층을 갖는 GaAs - Al(x)Ga(1-x) 양자우물에서 전계에 따른 전자 분포
비 중심 Si δ-doping 층을 갖는 GaAs - Al(x)Ga(1-x) 양자우물에서 전계에 따른 전자 분포
최준영, | 한국전기전자재료학회 | 2007 ,
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