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양성자 주입 기술을 이용한 초고속 회복 다이오드의 제작
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이강희, | 한국전기전자재료학회 | 2004 ,
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양성자 조사법에 의한 PT-IGBT의 Turn-off 스위칭 특성 개선
양성자 조사법에 의한 PT-IGBT의 Turn-off 스위칭 특성 개선
최성화, | 한국전기전자재료학회 | 2006 ,
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Pesudo MOSEET을 이용한 Nano SOI 웨이퍼의 전기적 특성 분석
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배영호, | 한국전기전자재료학회 | 2005 ,
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양성자 주입기술을 이용한 PT형 전력다이오드의 스위칭 특성 향상
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김병길, | 한국전기전자재료학회 | 2006 ,
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양성자가 주입된 NPT형 전력용 다이오드의 전류-전압 특성
양성자가 주입된 NPT형 전력용 다이오드의 전류-전압 특성
김병길, | 한국전기전자재료학회 | 2006 ,
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