본문

  1. Home
9 Results:AA:박진성 AA:홍광준 0.93 sec.
RSS 
Multilingual
 Recherche avancée
 nouvelle arrivée Rechercher
impression sélectionné Select Export to Excel
1
반도체 : Hot Wall Epitaxy ( HWE ) 법에 의한 CulnSe2 단결정 박막 성장과 특성
반도체 : Hot Wall Epitaxy ( HWE ) 법에 의한 CulnSe2 단결정 박막 성장과 특성
홍광준(Kwang Joon Hong), | 한국전기전자재료학회 | 2001 ,
2
논문 : 반도체 ; Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CuAISe2 단결정 박막 성장과 열처리 효과
논문 : 반도체 ; Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CuAISe2 단결정 박막 성장과 열처리 효과
윤석진 ( Yun Seog Jin ), | 한국전기전자재료학회 | 2003 ,
3
CO 센서용 Fe2O3를 첨가한 $SnO2 산화물의 특성
CO 센서용 Fe2O3를 첨가한 $SnO2 산화물의 특성
배인수, | 한국센서학회 | 2001 ,
4
열처리에 따른 SnO₂ 박막의 표면형상
열처리에 따른 SnO₂ 박막의 표면형상
박경희, | 한국재료학회 | 2003 ,
5
MOCVD로 제조한 SnO₂ 박막의 표면반응 특성
MOCVD로 제조한 SnO₂ 박막의 표면반응 특성
박경희, | 한국재료학회 | 2003 ,
6
Sol-precipitation법으로 제조된 WO₃ 나노분말을 이용한 후막 센서의 NO₂ 감지 특성
Sol-precipitation법으로 제조된 WO₃ 나노분말을 이용한 후막 센서의 NO₂ 감지 특성
류현욱, | 한국재료학회 | 2002 ,
7
NiO 첨가에 따른 WO3의 물성
NiO 첨가에 따른 WO3의 물성
노효섭, | 한국재료학회 | 2001 ,
8
Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 AgGaSe2 단결정 박막 성장과 특성
Hot Wall Epitaxy (HWE)법에 의한 AgGaSe2 단결정 박막 성장과 특성
홍광준, | 한국재료학회 | 2001 ,
9
Hot wall epitaxy 방법에 의한 AgInS₂ 박막의 성장과 광전류 특성
Hot wall epitaxy 방법에 의한 AgInS₂ 박막의 성장과 광전류 특성
홍광준, | 한국재료학회 | 2002 ,
처음1마지막