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6 Results:AA:박영호 PP:대한전자공학회 0.93 sec.
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Ni/Co/Ni를 적용한 Ni germano-silicide의 열 안정성 개선
Ni/Co/Ni를 적용한 Ni germano-silicide의 열 안정성 개선
황빈봉, | 대한전자공학회 | 2003 ,
2
N-type 기판에서 PAI에 의한 Nickel-Silicide의 열안정성 개선
N-type 기판에서 PAI에 의한 Nickel-Silicide의 열안정성 개선
윤장근, | 대한전자공학회 | 2003 ,
3
Co-interlayer와 TiN capping을 적용한 니켈실리사이드의 0.1um CMOS 소자 특성연구
Co-interlayer와 TiN capping을 적용한 니켈실리사이드의 0.1um CMOS 소자 특성연구
오순영, | 대한전자공학회 | 2003 ,
4
Nano-CMOS에서 Nisi Dopant 의존성 및 열 안정성 개선
Nano-CMOS에서 Nisi Dopant 의존성 및 열 안정성 개선
배미숙, | 대한전자공학회 | 2003 ,
5
Cobalt Interlayer와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용
Cobalt Interlayer와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용
오순영, 윤장근, 박영호, | 대한전자공학회 | 2003 ,
6
광연결 기술
광연결 기술
박종대,박영호,남상식, | 대한전자공학회 | 2001 ,
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