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Growth of SiGe Film By Using A Single-wafer Rapid Thermal Processing UHV/CVD System
Growth of SiGe Film By Using A Single-wafer Rapid Thermal Processing UHV/CVD System
Wentao Huang, Changchun Chen, Xiyou Li, | 대한금속.재료학회 | 2004 ,
2
나노 스케일 C-MOS FET에 적용되는 완충된 SiGe층 위에 성장된 나노스케일 변위 실리콘층을 가지는 soi c-mosfet 제작
나노 스케일 C-MOS FET에 적용되는 완충된 SiGe층 위에 성장된 나노스케일 변위 실리콘층을 가지는 soi c-mosfet 제작
박재근, | 대한금속.재료학회 | 2004 ,
3
Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
백승혁, 심태헌, 문준석, 차원준, 박재근, | 대한전자공학회 | 2004 ,
4
High Quality Partially Relaxed SiGe Film Grown on Silicon-on-Insulator Substrate by Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition
High Quality Partially Relaxed SiGe Film Grown on Silicon-on-Insulator Substrate by Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition
Changchun Chen, Wentao Huang, Zhihiog Liu, | 대한금속.재료학회 | 2004 ,
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