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폴리 게이트의 양자효과에 의한 Double-Gate MOSFET의 특성 변화 연구

폴리 게이트의 양자효과에 의한 Double-Gate MOSFET의 특성 변화 연구

박지선, 이승준, 신형순, | 대한전자공학회 | 2004 ,

Status Info

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등록번호	별치/청구기호	소장처	대출여부	대출정보
AR16642	P -	참고자료실(관광학관2층)	대출불가

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Сортировка

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Формат

기사 (1)

Автор

박지선, 이승준, 신형순 (1+)

Издатель

대한전자공학회 (1+)

Год

2004 (1)

Язык

kor (1)