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Si(100)기판위에 성장된 3C-SiC 박막의 반응성 이온식각 특성

Si(100)기판위에 성장된 3C-SiC 박막의 반응성 이온식각 특성

정귀상 ( Gwiy Sang Chung ), | 한국전기전자재료학회 | 2004 ,

소장정보

소장정보
등록번호	별치/청구기호	소장처	대출여부	대출정보
AR117765	P -	참고자료실(관광학관2층)	대출불가

1

소트

구분

자료유형

기사 (1)

저자

정귀상 ( Gwiy Sang Chung ) (1+)

출판사

한국전기전자재료학회 (1+)

출판년도

2004 (1)

언어

kor (1)