1 Results:UU:VOLUME2NUMBER32002SEPTEMBER AA:PARK , WANJUN 0.62 sec.
한글
English
日本語
中文
Русский
עברית
ไทย
Française
Deutsch
Español
1
Technology of MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory) Using MTJ(Magnetic Tunnel Junction) Cell
Park , Wanjun,
| 대한전자공학회 |
2002
,
Сортировка
Очистить
Формат
Издатель
Год
Язык