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3 Results:SS:MOSFET 0.140 sec.
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STI 채널 모서리에서 발생하는 MOSFET의 험프 특성
STI 채널 모서리에서 발생하는 MOSFET의 험프 특성
김현호, 이천희, | 한국시뮬레이션학회 | 2002 ,
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MOSFET의 Effective Channel Length를 추출하기 위한 C-V 방법의 타당성 연구
MOSFET의 Effective Channel Length를 추출하기 위한 C-V 방법의 타당성 연구
이성원, 이승준, 신형순, | 대한전자공학회 | 2002 ,
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나노 스케일 SOI MOSFET를 위한 소자설계 가이드라인
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이재기, 유종근, 박종태, | 대한전자공학회 | 2002 ,
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