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반도체 / 완화된 또는 응력변형을 겪는 Ge 과 Ge0.8Sn0.2 에서 전자와 정공의 상태밀도 유효질량과 전도도 유효질량
반도체 / 완화된 또는 응력변형을 겪는 Ge 과 Ge0.8Sn0.2 에서 전자와 정공의 상태밀도 유효질량과 전도도 유효질량
박일수(Il Soo Park), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
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Comparison between Bi-superconducting Thin Films Fabricated by Co-Deposition and Layer-by-Layer Deposition
Comparison between Bi-superconducting Thin Films Fabricated by Co-Deposition and Layer-by-Layer Deposition
Sung Ho Yang, | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
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디스플레이 광소자 / 비정질 칼코게나이드 As-Ge-Se-S 박막에서 편광기록 및 재생
디스플레이 광소자 / 비정질 칼코게나이드 As-Ge-Se-S 박막에서 편광기록 및 재생
장선주(Sun Joo Jang), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
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ZnS 형광체 분말의 결정결함에 따른 발광특성연구
ZnS 형광체 분말의 결정결함에 따른 발광특성연구
박용규(Yong Kyu Park), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
885
접촉연소식 가스 센서의 검지특성
접촉연소식 가스 센서의 검지특성
박찬원(Chan Won Park), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
886
플라즈마 화학기상 증착방식으로 성장시킨 비정질 실리콘 카바이드 박막의 열처리 효과에 관한 특성분석
플라즈마 화학기상 증착방식으로 성장시킨 비정질 실리콘 카바이드 박막의 열처리 효과에 관한 특성분석
박문기(Mun Gi Park), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
887
탈이온수의 압력과 정제된 N2 가스가 ILD - CMP 공정에 미치는 영향
탈이온수의 압력과 정제된 N2 가스가 ILD - CMP 공정에 미치는 영향
김상용(Sang Yong Kim), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
888
AC 플라즈마 디스플레이패널의 방전개시전압의 모델과 실험의비교에 관한 연구
AC 플라즈마 디스플레이패널의 방전개시전압의 모델과 실험의비교에 관한 연구
박장식(Jang Sick Park), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
889
직접천이 띠간격을 갖는 Ge1-xSnx/Ge1-ySny(001) 의 전기적 특성 연구
직접천이 띠간격을 갖는 Ge1-xSnx/Ge1-ySny(001) 의 전기적 특성 연구
박일수(Il Soo Park), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
890
초전도 , 자성체 : 나선형태로 제작된 고온초전도 한류기의 특성해석
초전도 , 자성체 : 나선형태로 제작된 고온초전도 한류기의 특성해석
정동철(Dong Chul Chung), | 한국전기전자재료학회 | 2001 ,
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