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Sol - Gel 방법에 의한 BST 박막의 표면 및 전기적 특성
Sol - Gel 방법에 의한 BST 박막의 표면 및 전기적 특성
홍경진(Kyung Jin Hong), | 한국전기전자재료학회 | 2002 ,
352
논문 : 반도체 ; Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CuAISe2 단결정 박막 성장과 열처리 효과
논문 : 반도체 ; Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CuAISe2 단결정 박막 성장과 열처리 효과
윤석진 ( Yun Seog Jin ), | 한국전기전자재료학회 | 2003 ,
353
프랙탈 이론을 이용한 발광소자 발광특성 분석
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조재철(Jae Cheol Cho), | 한국전기전자재료학회 | 2002 ,
354
Bi2-xAuxSr2CaCu2O8+δ ( x = 0 ~ 0.15 ) 산화물고온초전도체의 Bi 위치에 Au 혼합효과
Bi2-xAuxSr2CaCu2O8+δ ( x = 0 ~ 0.15 ) 산화물고온초전도체의 Bi 위치에 Au 혼합효과
이민수(Min Soo Lee), | 한국전기전자재료학회 | 2002 ,
355
논문 : 초전도,자성체 ; REBa2Cu3O7-χ (RE=Nd, Gd, Dy) 초전도체의 열처리에 따른 상변태와 미세구조
논문 : 초전도,자성체 ; REBa2Cu3O7-χ (RE=Nd, Gd, Dy) 초전도체의 열처리에 따른 상변태와 미세구조
오용택 ( O Yong Taeg ), | 한국전기전자재료학회 | 2003 ,
356
Genetic Diversity and Population Structure of Acanthopanax sessiliflorus Using Random Amplified Polymorphic DNA Markers
Genetic Diversity and Population Structure of Acanthopanax sessiliflorus Using Random Amplified Polymorphic DNA Markers
Man Kyu Huh, | 한국원예학회 | 2005 ,
357
A 90-nm FPGA I/O Buffer Design With 1.6-Gb/s Data Rate for Source-Synchronous System and 300-MHz Clock Rate for External Memory Interface
A 90-nm FPGA I/O Buffer Design With 1.6-Gb/s Data Rate for Source-Synchronous System and 300-MHz Clock Rate for External Memory Interface
Tyhach, J, | Institute of Electrical and Electronics Engineers | 2005 ,
358
PDA CCFL 구동을 위한 압전트랜스포머 용 PNW-PMN-PZT 세라믹스의 Nb2O5 첨가에 따른 미세구조 및 압전특성
PDA CCFL 구동을 위한 압전트랜스포머 용 PNW-PMN-PZT 세라믹스의 Nb2O5 첨가에 따른 미세구조 및 압전특성
류주현 ( Lyu Ju Hyeon ), | 한국전기전자재료학회 | 2004 ,
359
실리콘 산화막에 대한 Ta-Mo 합금 게이트의 열적 안정성
실리콘 산화막에 대한 Ta-Mo 합금 게이트의 열적 안정성
노영진 ( No Yeong Jin ), | 한국전기전자재료학회 | 2004 ,
360
RF 바이어스 조건 하에서 증착된 a-C:H 박막을 이용한 네마틱 액정의 배향 효과
RF 바이어스 조건 하에서 증착된 a-C:H 박막을 이용한 네마틱 액정의 배향 효과
황정연 ( Hwang Jeong Yeon ), | 한국전기전자재료학회 | 2004 ,
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