본문

  1. Home
5 Results:SS:SUBMICRON 0.93 sec.
RSS 
Multilingual
 Расширенный поиск
 Новый поиск книги прибытия
Selected Print Select Export to Excel
1
Trade-off Characteristic between Gate Length Margin and Hot Carrier Lifetime by Considering ESD on NMOSFETs of Submicron Technology
Trade-off Characteristic between Gate Length Margin and Hot Carrier Lifetime by Considering ESD on NMOSFETs of Submicron Technology
Bong-Kyu Joung, | 한국전기전자재료학회 | 2007 ,
2
Deep Submicron 공정의 멀티미디어 SoC를 위한 저전력 움직임 추정기 아키텍쳐
Deep Submicron 공정의 멀티미디어 SoC를 위한 저전력 움직임 추정기 아키텍쳐
연규성, 전치훈, 황태진, 이성수, 위재경, | 대한전자공학회 | 2004 ,
3
Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출
Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출
이용택, 최문성, 구자남, 이성현, | 대한전자공학회 | 2004 ,
4
Net Shape Formation of Sub-Micron Aluniba with Reduced Flaws by High-Speed Centrifugal Comoaction Process
Net Shape Formation of Sub-Micron Aluniba with Reduced Flaws by High-Speed Centrifugal Comoaction Process
Hiriyuki Y. Suzuki, Hidenori Kuroki, | 대한금속.재료학회 | 2004 ,
5
The Physics of Submicron Structures
The Physics of Submicron Structures
Grubin, H L, 429.12-G885p | Plenum | 1984 429.12-G885p,
처음1마지막