본문

  1. Home
2 Results:SS:INGAASINALAS 0.31 sec.
RSS 
Multilingual
 Расширенный поиск
 Новый поиск книги прибытия
Selected Print Select Export to Excel
1
70 nm T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자의 제작 및 특성
70 nm T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자의 제작 및 특성
김성찬, 임병옥, 백태종, 고백석, 신동훈, 이진구, | 대한전자공학회 | 2004 ,
2
InGaAs/InAlAs 다중 양자우물을 이용한 표면 반사형 전광 스위치의 해석
InGaAs/InAlAs 다중 양자우물을 이용한 표면 반사형 전광 스위치의 해석
최용호, 김경환, 최우영, | 대한전자공학회 | 2000 ,
처음1마지막