신경주학교 도서관

6 Results:SS:MOSFET 0.31 sec.

Capacitance - Voltage 방법을 이용한 mosfet의 유효 채널 길이 추출
김용구, 지희환, 한인식, 박성형, 이희덕, | 대한전자공학회 | 2004 ,

폴리 게이트의 양자효과에 의한 Double-Gate MOSFET의 특성 변화 연구
박지선, 이승준, 신형순, | 대한전자공학회 | 2004 ,

Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출
이용택, 최문성, 구자남, 이성현, | 대한전자공학회 | 2004 ,

Ground Plane SOI MOSFET의 단채널 현상 개선
장성준, 윤세레나, 유종근, 박종태, | 대한전자공학회 | 2004 ,

포켓 이온 주입된 MOSFET 소자의 1/f 잡음 특성
이병헌, 이기영, | 대한전자공학회 | 2004 ,

SOI MOSFET의 모든 동작영역을 통합한 해석적 표면전위 모델
유윤섭, | 대한전자공학회 | 2004 ,