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Bonding Structure and Electrical Properties of SiOC(-H) Films Deposited with a Methyltrimethoxysilane Precursor by Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition
Bonding Structure and Electrical Properties of SiOC(-H) Films Deposited with a Methyltrimethoxysilane Precursor by Using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition
Kannan Meera., | 한국물리학회 | 2006 ,
2
Post-Annealing Effect on SiOC(-H) Composite Films Deposited by Using Plasma-Enhanced Chemical-Vapor Deposition
Post-Annealing Effect on SiOC(-H) Composite Films Deposited by Using Plasma-Enhanced Chemical-Vapor Deposition
Kyoung Suk Oh., | 한국물리학회 | 2006 ,
3
Studies of Low-Dielectric-Constant SiOC(-H) Thin Films Deposited by Using MTES/O₂-PECVD
Studies of Low-Dielectric-Constant SiOC(-H) Thin Films Deposited by Using MTES/O₂-PECVD
Rangaswamy Navamathavan., | 한국물리학회 | 2006 ,
4
탄소밀도의 변화가 SiOC박막의 결합구조에 미치는 영향
탄소밀도의 변화가 SiOC박막의 결합구조에 미치는 영향
오데레사, | 대한전자공학회 | 2006 ,
5
유무기 하이브리드 SiOC 박막의 화학적 이동에 대한 FTIR 스펙트라 분석
유무기 하이브리드 SiOC 박막의 화학적 이동에 대한 FTIR 스펙트라 분석
오데레사, | 대한전자공학회 | 2005 ,
6
Oxidation Features of SiOC/MoSi₂Composite at Low Temperatures
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Dong-Bok Lee, | 대한금속.재료학회 | 2004 ,
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