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반도체 / SADS ( Silicide As Diffusion Source ) 법으로 형성한 코발트 폴리사이트 게이트의 C-V 특성
반도체 / SADS ( Silicide As Diffusion Source ) 법으로 형성한 코발트 폴리사이트 게이트의 C-V 특성
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 반도체 / SADS ( Silicide As Diffusion Source ) 법으로 형성한 코발트 폴리사이트 게이트의 C-V 특성 / 정연실(Yeon Sil Jung) , 배규식(Kyoo Sik Bae) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 557-562
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 기타저자
- 배규식(Kyoo Sik Bae)
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60235186
MARC
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