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반도체 / Si 이 첨가된 In0.1Ga0.9As 에피층의 Si 셀 온도에 따른 표면특성 연구
반도체 / Si 이 첨가된 In0.1Ga0.9As 에피층의 Si 셀 온도에 따른 표면특성 연구
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 반도체 / Si 이 첨가된 In0.1Ga0.9As 에피층의 Si 셀 온도에 따른 표면특성 연구 / 김동렬(Dong Lyeul Kim) , 이동율(Dong Yul Lee) , 배인호(In Ho Bae) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 551-556
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60235185
MARC
008191015s2000 ulk aa kor■022 ▼a12267945
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■7001 ▼a이동율(Dong Yul Lee) , 배인호(In Ho Bae)
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제13권 제7호 (2000년 7월)▼d2000, 07
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014425▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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