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반도체 / 완화된 또는 응력변형을 겪는 Ge 과 Ge0.8Sn0.2 에서 전자와 정공의 상태밀도 유효질량과 전도도 유효질량
반도체 / 완화된 또는 응력변형을 겪는 Ge 과 Ge0.8Sn0.2 에서 전자와 정공의 상태밀도 유효질량과 전도도 유효질량
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 저자명
- 박일수(Il Soo Park)
- 서명/저자
- 반도체 / 완화된 또는 응력변형을 겪는 Ge 과 Ge0.8Sn0.2 에서 전자와 정공의 상태밀도 유효질량과 전도도 유효질량 / 박일수(Il Soo Park) , 전상국(Sang Kook Chun) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 643-650
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 기타저자
- 전상국(Sang Kook Chun)
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60235166
MARC
008191015s2000 ulk aa kor■022 ▼a12267945
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■7001 ▼a전상국(Sang Kook Chun)
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제13권 제8호 (2000년 8월)▼d2000, 08
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■SIS ▼aS014426▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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