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반도체 / STI 를 이용한 서브 0.1㎛ VLSI CMOS 소자에서의 초박막 게이트산화막의 박막개선에 관한 연구
반도체 / STI 를 이용한 서브 0.1㎛ VLSI CMOS 소자에서의 초박막 게이트산화막의 박막개선에 관한 연구
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 반도체 / STI 를 이용한 서브 0.1㎛ VLSI CMOS 소자에서의 초박막 게이트산화막의 박막개선에 관한 연구 / 엄금용(Gum Young Eom) , 오환술(Hwan Sool Oh) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 729-734
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 기타저자
- 오환술(Hwan Sool Oh)
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60235153
MARC
008191014s2000 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a엄금용(Gum Young Eom)
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■500 ▼a참고문헌수록
■7001 ▼a오환술(Hwan Sool Oh)
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제13권 제9호 (2000년 9월)▼d2000, 09
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014427▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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