서브메뉴
검색
Single Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩분포 결정
Single Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩분포 결정
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- Single Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩분포 결정 / 양전우(Jeon Woo Yang) , 홍순혁(Soon Hyuk Hong) , 서광열(Kwang Yell Seo) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 822-827
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60235141
MARC
008191014s2000 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a양전우(Jeon Woo Yang)
■24510▼aSingle Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩분포 결정▼d양전우(Jeon Woo Yang)▼e홍순혁(Soon Hyuk Hong) , 서광열(Kwang Yell Seo) 공저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2000.
■300 ▼app. 822-827
■500 ▼a참고문헌수록
■7001 ▼a홍순혁(Soon Hyuk Hong) , 서광열(Kwang Yell Seo)
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제13권 제10호 (2000년 10월)▼d2000, 10
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014428▼b60055323▼h8▼s2▼fP
