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Single Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩분포 결정
Single Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩분포 결정
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- Single Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩분포 결정 / 양전우(Jeon Woo Yang) , 홍순혁(Soon Hyuk Hong) , 서광열(Kwang Yell Seo) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 822-827
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60235141
MARC
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■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제13권 제10호 (2000년 10월)▼d2000, 10
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014428▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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