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반도체 : 분무합성법으로 제작한 α - Ga2S3 및 α - Ga2S3 : Co2+ 박막의 광학적 특성
반도체 : 분무합성법으로 제작한 α - Ga2S3 및 α - Ga2S3 : Co2+ 박막의 광학적 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 반도체 : 분무합성법으로 제작한 α - Ga2S3 및 α - Ga2S3 : Co2+ 박막의 광학적 특성 / 김형곤(Hyung Gon Kim) , 김남오(Nam Oh Kim) , 박태형(Tae Young Park) , 진문석(Moon Seog Jin) , 김미향(Mi Yang Kim) , 오석균(Seok Kyun Oh) , 김화택(Wha Tek Kim) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2001.
- 형태사항
- pp. 539-545
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234953
MARC
008191010s2001 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a김형곤(Hyung Gon Kim)
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■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014437▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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