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반도체 : CF4 / Ar 플라즈마 내 Cl2 첨가에 의한 SrBi2Ta2O9 박막의 식각 특성
반도체 : CF4 / Ar 플라즈마 내 Cl2 첨가에 의한 SrBi2Ta2O9 박막의 식각 특성 / 김창일(Chang I...
반도체 : CF4 / Ar 플라즈마 내 Cl2 첨가에 의한 SrBi2Ta2O9 박막의 식각 특성

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
12267945
저자명  
김창일(Chang Il Kim)
서명/저자  
반도체 : CF4 / Ar 플라즈마 내 Cl2 첨가에 의한 SrBi2Ta2O9 박막의 식각 특성 / 김창일(Chang Il Kim) , 김동표(Dong Pyo Kim) , 이원재(Won Jae Lee) , 유병곤(Byung Gon Yu) , 김태형(Tae Hyung Kim) , 장의구(Eui Goo Chang) 공저
발행사항  
서울 : 한국전기전자재료학회, 2001.
형태사항  
pp. 714-719
주기사항  
참고문헌수록
기타저자  
김동표(Dong Pyo Kim) , 이원재(Won Jae Lee) , 유병곤(Byung Gon Yu) , 김태형(Tae Hyung Kim) , 장의구(Eui Goo Chang)
기본자료저록  
전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic : 제14권 제9호 (2001년 9월) 2001, 09
원문정보  
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모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60234907

MARC

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