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반도체 : CF4 / Ar 플라즈마 내 Cl2 첨가에 의한 SrBi2Ta2O9 박막의 식각 특성
반도체 : CF4 / Ar 플라즈마 내 Cl2 첨가에 의한 SrBi2Ta2O9 박막의 식각 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 반도체 : CF4 / Ar 플라즈마 내 Cl2 첨가에 의한 SrBi2Ta2O9 박막의 식각 특성 / 김창일(Chang Il Kim) , 김동표(Dong Pyo Kim) , 이원재(Won Jae Lee) , 유병곤(Byung Gon Yu) , 김태형(Tae Hyung Kim) , 장의구(Eui Goo Chang) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2001.
- 형태사항
- pp. 714-719
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 기타저자
- 김동표(Dong Pyo Kim) , 이원재(Won Jae Lee) , 유병곤(Byung Gon Yu) , 김태형(Tae Hyung Kim) , 장의구(Eui Goo Chang)
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234907
MARC
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