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반도체 : P - 채널 다결정 실리콘 박막 트렌지스터의 Alternate Bias 스트레스 효과
반도체 : P - 채널 다결정 실리콘 박막 트렌지스터의 Alternate Bias 스트레스 효과
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 반도체 : P - 채널 다결정 실리콘 박막 트렌지스터의 Alternate Bias 스트레스 효과 / 김영호(Young Ho Kim) , 조봉희(Bong Hee Cho) , 강동헌(Dong Hun Kang) , 길상근(Sang Kun Gil) , 임석범(Suk Bum Lim) , 임동준(Dong June Lim) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2001.
- 형태사항
- pp. 869-873
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 기타저자
- 조봉희(Bong Hee Cho) , 강동헌(Dong Hun Kang) , 길상근(Sang Kun Gil) , 임석범(Suk Bum Lim) , 임동준(Dong June Lim)
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234876
MARC
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