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In situ Er 도핑된 GaN와 Er이 이온 주입된 GaN의 PL과 PLE 비교에 대한 연구
In situ Er 도핑된 GaN와 Er이 이온 주입된 GaN의 PL과 PLE 비교에 대한 연구
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- In situ Er 도핑된 GaN와 Er이 이온 주입된 GaN의 PL과 PLE 비교에 대한 연구 / 김현석 ( Hyun Suk Kim ) , 성만영 ( Man Young Sung ) , 김상식 ( Sang Sig Kim ) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2003.
- 형태사항
- pp. 89-96
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234783
MARC
008191008s2003 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a김현석 ( Hyun Suk Kim )
■24510▼aIn situ Er 도핑된 GaN와 Er이 이온 주입된 GaN의 PL과 PLE 비교에 대한 연구▼d김현석 ( Hyun Suk Kim ) ▼e성만영 ( Man Young Sung ) , 김상식 ( Sang Sig Kim ) 공저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2003.
■300 ▼app. 89-96
■500 ▼a참고문헌 수록
■7001 ▼a성만영 ( Man Young Sung ) , 김상식 ( Sang Sig Kim )
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제16권 제2호 (2003년 2월)▼d2003, 02
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014456▼b60055323▼h8▼s2▼fP
