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SONOS 비휘발성 기억소자의 향상된 프로그램/소거 반복 특성
SONOS 비휘발성 기억소자의 향상된 프로그램/소거 반복 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- SONOS 비휘발성 기억소자의 향상된 프로그램/소거 반복 특성 / 김병철 ( Byung Cheul Kim ) , 서광열 ( Kwang Yell Seo ) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2003.
- 형태사항
- pp. 5-10
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234743
MARC
008191008s2003 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a김병철 ( Byung Cheul Kim )
■24510▼aSONOS 비휘발성 기억소자의 향상된 프로그램/소거 반복 특성▼d김병철 ( Byung Cheul Kim ) ▼e서광열 ( Kwang Yell Seo ) 공저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2003.
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■500 ▼a참고문헌 수록
■7001 ▼a서광열 ( Kwang Yell Seo )
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제16권 제1호 (2003년 1월)▼d2003, 01
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014455▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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