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Si(100) 기관 위에 성장된 3C-SiC 박막의 물리적 특성
Si(100) 기관 위에 성장된 3C-SiC 박막의 물리적 특성 / 정귀상 ( Gwiy Sang Chung )  , 정연식 ...
Si(100) 기관 위에 성장된 3C-SiC 박막의 물리적 특성

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
12267945
저자명  
정귀상 ( Gwiy Sang Chung )
서명/저자  
Si(100) 기관 위에 성장된 3C-SiC 박막의 물리적 특성 / 정귀상 ( Gwiy Sang Chung ) , 정연식 ( Yun Sik Chung ) , Shigehiro Nishino 공저
발행사항  
서울 : 한국전기전자재료학회, 2002.
형태사항  
pp. 953-957
주기사항  
참고문헌 수록
기타저자  
정연식 ( Yun Sik Chung ) , Shigehiro Nishino
기본자료저록  
전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic : 제15권 제11호 (2002년 11월) 2002, 11
원문정보  
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모체정보확인
Control Number  
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MARC

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