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Si(100) 기관 위에 성장된 3C-SiC 박막의 물리적 특성
Si(100) 기관 위에 성장된 3C-SiC 박막의 물리적 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- Si(100) 기관 위에 성장된 3C-SiC 박막의 물리적 특성 / 정귀상 ( Gwiy Sang Chung ) , 정연식 ( Yun Sik Chung ) , Shigehiro Nishino 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2002.
- 형태사항
- pp. 953-957
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234680
MARC
008191008s2002 ulk aa kor■022 ▼a12267945
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■7001 ▼a정연식 ( Yun Sik Chung ) , Shigehiro Nishino
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제15권 제11호 (2002년 11월)▼d2002, 11
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014453▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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