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Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdIn2S4 단결정 박막 성장과 열처리 효과
Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdIn2S4 단결정 박막 성장과 열처리 효과
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdIn2S4 단결정 박막 성장과 열처리 효과 / 홍광준 ( Kwang Joon Hong ) , 이관교 ( Kwan Gyu Lee ) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2002.
- 형태사항
- pp. 923-932
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 기타저자
- 이관교 ( Kwan Gyu Lee )
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234673
MARC
008191008s2002 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a홍광준 ( Kwang Joon Hong )
■24510▼aHot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdIn2S4 단결정 박막 성장과 열처리 효과▼d홍광준 ( Kwang Joon Hong ) ▼e이관교 ( Kwan Gyu Lee ) 공저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2002.
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■500 ▼a참고문헌 수록
■7001 ▼a이관교 ( Kwan Gyu Lee )
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제15권 제11호 (2002년 11월)▼d2002, 11
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014453▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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