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Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdIn2S4 단결정 박막 성장과 열처리 효과
Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdIn2S4 단결정 박막 성장과 열처리 효과 / 홍광준 ( Kwang Joo...
Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdIn2S4 단결정 박막 성장과 열처리 효과

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
12267945
저자명  
홍광준 ( Kwang Joon Hong )
서명/저자  
Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdIn2S4 단결정 박막 성장과 열처리 효과 / 홍광준 ( Kwang Joon Hong ) , 이관교 ( Kwan Gyu Lee ) 공저
발행사항  
서울 : 한국전기전자재료학회, 2002.
형태사항  
pp. 923-932
주기사항  
참고문헌 수록
기타저자  
이관교 ( Kwan Gyu Lee )
기본자료저록  
전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic : 제15권 제11호 (2002년 11월) 2002, 11
원문정보  
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모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60234673

MARC

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