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플래시 및 바이트 소거형 EEPROM 을 위한 고집적 저전압 Scaled SONOS 비휘발성 기억소자
플래시 및 바이트 소거형 EEPROM 을 위한 고집적 저전압 Scaled SONOS 비휘발성 기억소자
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 플래시 및 바이트 소거형 EEPROM 을 위한 고집적 저전압 Scaled SONOS 비휘발성 기억소자 / 김병철(Byung Cheul Kim) , 서광열(Kwang Yell Seo) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2002.
- 형태사항
- pp. 831-837
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 기타저자
- 서광열(Kwang Yell Seo)
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234646
MARC
008191008s2002 ulk aa kor■022 ▼a12267945
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■7001 ▼a서광열(Kwang Yell Seo)
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제15권 제10호 (2002년 10월)▼d2002, 10
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014452▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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