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비휘발성 메모리 소자응용을 위한 과잉 Bi 첨가에 따른 BLT 박막의 강유전 특성
비휘발성 메모리 소자응용을 위한 과잉 Bi 첨가에 따른 BLT 박막의 강유전 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 비휘발성 메모리 소자응용을 위한 과잉 Bi 첨가에 따른 BLT 박막의 강유전 특성 / 김경태(Kyoung Tae Kim) , 김창일(Chang Il Kim) , 강동희(Dong Hee Kang) , 심일운(Il Wun Shim) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2002.
- 형태사항
- pp. 764-769
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234617
MARC
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■SIS ▼aS014451▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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