서브메뉴
검색
반도체 : GaAs 기판 위에 EDMIn과 TBP로부터 성장되고 양극산화 처리된 InP Schottky Diode
반도체 : GaAs 기판 위에 EDMIn과 TBP로부터 성장되고 양극산화 처리된 InP Schottky Diode
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 반도체 : GaAs 기판 위에 EDMIn과 TBP로부터 성장되고 양극산화 처리된 InP Schottky Diode / 유충현 ( Choong Hyun Yoo ) 저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2003.
- 형태사항
- pp. 471-476
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234585
MARC
008191008s2003 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a유충현 ( Choong Hyun Yoo )
■24510▼a반도체 : GaAs 기판 위에 EDMIn과 TBP로부터 성장되고 양극산화 처리된 InP Schottky Diode▼d유충현 ( Choong Hyun Yoo ) 저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2003.
■300 ▼app. 471-476
■500 ▼a참고문헌수록
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제16권 제6호 (2003년 6월)▼d2003, 06
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014460▼b60055323▼h8▼s2▼fP
Preview
Export
ChatGPT Discussion
AI Recommended Related Books
Подробнее информация.
- Бронирование
- не существует
- моя папка
- Reference Materials for Thesis Writing
- Reference Materials for Research Ethics
- Job-Related Books
