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반도체 : GaAs 기판 위에 EDMIn과 TBP로부터 성장되고 양극산화 처리된 InP Schottky Diode
반도체 : GaAs 기판 위에 EDMIn과 TBP로부터 성장되고 양극산화 처리된 InP Schottky Diode
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 반도체 : GaAs 기판 위에 EDMIn과 TBP로부터 성장되고 양극산화 처리된 InP Schottky Diode / 유충현 ( Choong Hyun Yoo ) 저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2003.
- 형태사항
- pp. 471-476
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234585
MARC
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