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AIGaN / GaN 이종접합 디바이스를 위한 GaN 에피층의 전기적 특성
AIGaN / GaN 이종접합 디바이스를 위한 GaN 에피층의 전기적 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- AIGaN / GaN 이종접합 디바이스를 위한 GaN 에피층의 전기적 특성 / 문도성(Do Soung Moon) 저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2002.
- 형태사항
- pp. 591-596
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234528
MARC
008191008s2002 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a문도성(Do Soung Moon)
■24510▼aAIGaN / GaN 이종접합 디바이스를 위한 GaN 에피층의 전기적 특성▼d문도성(Do Soung Moon) 저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2002.
■300 ▼app. 591-596
■500 ▼a참고문헌 수록
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제15권 제7호 (2002년 7월)▼d2002, 07
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014449▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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