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논문 : 반도체 ; 저온 래디컬 산화법에 의한 고품질 초박막 게이트 산화막의 성장과 이를 이용한 고성능 실리콘-게르마늄 이종구조 CMOS의 제작
논문 : 반도체 ; 저온 래디컬 산화법에 의한 고품질 초박막 게이트 산화막의 성장과 이를 이용한 고성능 실리콘-게르마늄 이종구조 CMOS의 제작
Detailed Information
- Material Type
- 기사
- ISSN
- 12267945
- Author
- 송영주 ( Song Yeong Ju )
- Title/Author
- 논문 : 반도체 ; 저온 래디컬 산화법에 의한 고품질 초박막 게이트 산화막의 성장과 이를 이용한 고성능 실리콘-게르마늄 이종구조 CMOS의 제작 / 송영주 ( Song Yeong Ju ) ; 김상훈 ( Kim Sang Hun ) , 이내응 ( Lee Nae Eung ) , 강진영 ( Kang Jin Yeong ) , 심규환 ( Sim Gyu Hwan ) 공저
- Publish Info
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2003.
- Material Info
- pp. 765-770
- General Note
- 참고문헌수록
- Added Entry-Personal Name
- 김상훈 ( Kim Sang Hun ) , 이내응 ( Lee Nae Eung ) , 강진영 ( Kang Jin Yeong ) , 심규환 ( Sim Gyu Hwan )
- Host Item Entry
- 전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic : 제16권 제9호 (2003년 9월) 2003, 09
- Electronic Location and Access
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234512
MARC
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