서브메뉴
검색
논문 : 반도체 ; 자기 정열과 수소 어닐링 기술을 이용한 고밀도 트랜치 게이트 전력 DMOSFET의 전기적 특성 분석
논문 : 반도체 ; 자기 정열과 수소 어닐링 기술을 이용한 고밀도 트랜치 게이트 전력 DMOSFET의 전기적 특성 분석
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 논문 : 반도체 ; 자기 정열과 수소 어닐링 기술을 이용한 고밀도 트랜치 게이트 전력 DMOSFET의 전기적 특성 분석 / 박훈수 ( Park Hun Su ) , 김종대 ( Kim Jong Dae ) , 김상기 ( Kim Sang Gi ) , 이영기 ( Lee Yeong Gi ) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2003.
- 형태사항
- pp. 853-858
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234473
MARC
008191008s2003 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a박훈수 ( Park Hun Su )
■24510▼a논문 : 반도체 ; 자기 정열과 수소 어닐링 기술을 이용한 고밀도 트랜치 게이트 전력 DMOSFET의 전기적 특성 분석▼d박훈수 ( Park Hun Su ) ▼e김종대 ( Kim Jong Dae ) , 김상기 ( Kim Sang Gi ) , 이영기 ( Lee Yeong Gi ) 공저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2003.
■300 ▼app. 853-858
■500 ▼a참고문헌수록
■7001 ▼a김종대 ( Kim Jong Dae ) , 김상기 ( Kim Sang Gi ) , 이영기 ( Lee Yeong Gi )
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제16권 제10호 (2003년 10월)▼d2003, 10
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014464▼b60055323▼h8▼s2▼fP
