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반도체 : Oxide-Nitride-Oxide막을 게이트 절연막으로 사용하여 제조한 다결정실리콘 박막트렌지스터의 특성
반도체 : Oxide-Nitride-Oxide막을 게이트 절연막으로 사용하여 제조한 다결정실리콘 박막트렌지스터의 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 반도체 : Oxide-Nitride-Oxide막을 게이트 절연막으로 사용하여 제조한 다결정실리콘 박막트렌지스터의 특성 / 이인찬 ( Lee In Chan ) , 마대영 ( Ma Dae Yeong ) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2003.
- 형태사항
- pp. 1065-1070
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 기타저자
- 마대영 ( Ma Dae Yeong )
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234408
MARC
008191008s2003 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a이인찬 ( Lee In Chan )
■24510▼a반도체 : Oxide-Nitride-Oxide막을 게이트 절연막으로 사용하여 제조한 다결정실리콘 박막트렌지스터의 특성▼d이인찬 ( Lee In Chan ) ▼e마대영 ( Ma Dae Yeong ) 공저
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■500 ▼a참고문헌수록
■7001 ▼a마대영 ( Ma Dae Yeong )
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제16권 제12호 (2003년 12월)▼d2003, 12
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014466▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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