서브메뉴
검색
오존 산화가 DRAM 셀의 콘택 저항에 미치는 영향
오존 산화가 DRAM 셀의 콘택 저항에 미치는 영향
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 오존 산화가 DRAM 셀의 콘택 저항에 미치는 영향 / 최재승 ( Choe Jae Seung ) , 이승욱 ( Lee Seung Ug ) , 신봉조 ( Sin Bong Jo ) , 박근형 ( Park Geun Hyeong ) , 이재봉 ( Lee Jae Bong ) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2004.
- 형태사항
- pp. 121-126
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60233836
MARC
008191004s2004 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a최재승 ( Choe Jae Seung )
■24510▼a 오존 산화가 DRAM 셀의 콘택 저항에 미치는 영향▼d최재승 ( Choe Jae Seung ) ▼e이승욱 ( Lee Seung Ug ) , 신봉조 ( Sin Bong Jo ) , 박근형 ( Park Geun Hyeong ) , 이재봉 ( Lee Jae Bong ) 공저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2004.
■300 ▼app. 121-126
■500 ▼a참고문헌 수록
■7001 ▼a이승욱 ( Lee Seung Ug ) , 신봉조 ( Sin Bong Jo ) , 박근형 ( Park Geun Hyeong ) , 이재봉 ( Lee Jae Bong )
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제17권 제2호 (2004년 2월)▼d2004, 02
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014469▼b60055323▼h8▼s2▼fP
