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Si(100)기판위에 성장된 3C-SiC 박막의 반응성 이온식각 특성
Si(100)기판위에 성장된 3C-SiC 박막의 반응성 이온식각 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- Si(100)기판위에 성장된 3C-SiC 박막의 반응성 이온식각 특성 / 정귀상 ( Gwiy Sang Chung ) , 정수용 ( Soo Yong Chung ) , Shigehiro Nishino 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2004.
- 형태사항
- pp. 724-728
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60233743
MARC
008191004s2004 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a정귀상 ( Gwiy Sang Chung )
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■500 ▼a참고문헌 수록
■7001 ▼a정수용 ( Soo Yong Chung ) , Shigehiro Nishino
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제17권 제7호 (2004년 7월)▼d2004, 07
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014474▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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