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ALD와 RE 마그네트론 스퍼터링을 이용한 FBAR 소자의 ZnO 박막증착 및 특성
ALD와 RE 마그네트론 스퍼터링을 이용한 FBAR 소자의 ZnO 박막증착 및 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 저자명
- 신영화
- 서명/저자
- ALD와 RE 마그네트론 스퍼터링을 이용한 FBAR 소자의 ZnO 박막증착 및 특성 / 신영화 , 권상직 , 윤영수 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2005.
- 형태사항
- pp. 164-168
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 기타저자
- 권상직 , 윤영수
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60233594
MARC
008191004s2005 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a신영화
■24510▼aALD와 RE 마그네트론 스퍼터링을 이용한 FBAR 소자의 ZnO 박막증착 및 특성▼d신영화 ▼e권상직 , 윤영수 공저
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■7001 ▼a권상직 , 윤영수
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제18권 제2호 (2005년 2월)▼d2005, 02
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014481▼b60055323▼h8▼s2▼fP
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