서브메뉴
검색
Bulk-Si와 PD-SOI에 형성된 SiGe p-MOSFET의 전기적 특성의 비교
Bulk-Si와 PD-SOI에 형성된 SiGe p-MOSFET의 전기적 특성의 비교
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 저자명
- 최상식
- 서명/저자
- Bulk-Si와 PD-SOI에 형성된 SiGe p-MOSFET의 전기적 특성의 비교 / 최상식 , 최아람 , 김재연 , 양전욱 , 한태현 , 조덕호 , 황용우 , 심규환 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2007.
- 형태사항
- pp. 491-495
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60233470
MARC
008191004s2007 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a최상식
■24510▼aBulk-Si와 PD-SOI에 형성된 SiGe p-MOSFET의 전기적 특성의 비교▼d최상식▼e최아람 , 김재연 , 양전욱 , 한태현 , 조덕호 , 황용우 , 심규환 공저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2007.
■300 ▼app. 491-495
■500 ▼a참고문헌 수록
■7001 ▼a최아람 , 김재연 , 양전욱 , 한태현 , 조덕호 , 황용우 , 심규환
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제20권 제6호 (2007년 6월)▼d2007, 06
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS040411▼b60055323▼h8▼s2▼fP
