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비 중심 Si δ-doping 층을 갖는 GaAs - Al(x)Ga(1-x) 양자우물에서 전계에 따른 전자 분포
비 중심 Si δ-doping 층을 갖는 GaAs - Al(x)Ga(1-x) 양자우물에서 전계에 따른 전자 분포
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 저자명
- 최준영
- 서명/저자
- 비 중심 Si δ-doping 층을 갖는 GaAs - Al(x)Ga(1-x) 양자우물에서 전계에 따른 전자 분포 / 최준영 , 전상국 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2007.
- 형태사항
- pp. 14-18
- 주기사항
- 권말 색인 및 참고문헌 수록
- 기타저자
- 전상국
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60232876
MARC
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