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MBE법으로 GaAs(211)B 기판 위에 성장된 Hg0.7Cd0.3Te 박막의 Hg/Te flux ratio 에 따른 특성 연구
MBE법으로 GaAs(211)B 기판 위에 성장된 Hg0.7Cd0.3Te 박막의 Hg/Te flux ratio 에 따른 특성 연구
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267937
- 저자명
- 류영선
- 서명/저자
- MBE법으로 GaAs(211)B 기판 위에 성장된 Hg0.7Cd0.3Te 박막의 Hg/Te flux ratio 에 따른 특성 연구 / 류영선 , 허유범, 강태원, 한명수 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2002.
- 형태사항
- pp. 7-11
- 주기사항
- 권말 참고문헌 있음
- 기타저자
- 허유범, 강태원, 한명수
- 기본자료저록
- 전기전자재료(Bulletin of the Korean Institute of Electrical & Electron : 제15권 제10호 (2002. 10) 2002, 10
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60219608
MARC
008190605s2002 ulk aa kor■022 ▼a12267937
■1001 ▼a류영선
■24510▼aMBE법으로 GaAs(211)B 기판 위에 성장된 Hg0.7Cd0.3Te 박막의 Hg/Te flux ratio 에 따른 특성 연구 ▼d류영선 ▼e허유범, 강태원, 한명수 공저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2002.
■300 ▼app. 7-11
■500 ▼a권말 참고문헌 있음
■7001 ▼a허유범, 강태원, 한명수
■773 ▼t전기전자재료(Bulletin of the Korean Institute of Electrical & Electron▼g제15권 제10호 (2002. 10)▼d2002, 10
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr/
■SIS ▼aS014386▼b60055315▼h8▼s1▼fP
