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활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과
활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12250562
- 저자명
- 이상진
- 서명/저자
- 활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과 / 이상진 , 변동진, 홍창희, 김긍호 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국재료학회, 2001.
- 형태사항
- pp. 191-196
- 주기사항
- 권말 색인및 참고문헌수록
- 기타저자
- 변동진, 홍창희, 김긍호
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60218572
MARC
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■773 ▼t한국재료학회지(Korean Journal of Materials Research)▼gVol. 11, No. 3, (2001 March)▼d2001, 03
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■SIS ▼aS014195▼b60055267▼h8▼s2▼fP
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