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암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AlN/Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적, 광학적 특성
암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AlN/Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적, 광학적 특성
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MARC
008190603s2002 ulk aa kor■022 ▼a12250562
■1001 ▼a김경현
■24510▼a암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AlN/Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적, 광학적 특성 ▼d김경현▼e홍성의, 강석준, 이상현, 김창수, 김도진, 한기평, 백문철 공저
■260 ▼a서울▼b한국재료학회▼c2002.
■300 ▼app. 387-390
■500 ▼a권말 참고문헌 수록
■7001 ▼a홍성의, 강석준, 이상현, 김창수, 김도진, 한기평, 백문철
■773 ▼t한국재료학회지(Korean Journal of Materials Research)▼gVol. 12, No. 5, (2002 May)▼d2002, 05
■856 ▼uhttp://www.mrs-k.or.kr
■SIS ▼aS014209▼b60055267▼h8▼s2▼fP
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