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MOS 소자용 silicon carbide의 열산화막 생성 및 특성
MOS 소자용 silicon carbide의 열산화막 생성 및 특성
상세정보
MARC
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■1001 ▼a오경영
■24510▼a MOS 소자용 silicon carbide의 열산화막 생성 및 특성 ▼d오경영▼e이계홍, 장성주 공저
■260 ▼a서울▼b한국재료학회▼c2002.
■300 ▼app. 327-333
■500 ▼a권말 참고문헌 수록
■7001 ▼a이계홍, 장성주
■773 ▼t한국재료학회지(Korean Journal of Materials Research)▼gVol. 12, No. 5, (2002 May)▼d2002, 05
■856 ▼uhttp://www.mrs-k.or.kr
■SIS ▼aS014209▼b60055267▼h8▼s2▼fP


